Vytisknout stránku
IPD053N08N3GATMA1
Výkonový MOSFET, N Kanál, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPD053N08N3GATMA1
Objednací kód1775574
Produktová ŘadaOptiMOS 3 Series
Alternativní označeníIPD053N08N3 G, SP001127818
Technický list
17 360 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 39.125 Kč |
| 10+ | 31.601 Kč |
| 100+ | 26.334 Kč |
| 500+ | 24.553 Kč |
| 1000+ | 23.976 Kč |
| 5000+ | 23.375 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
39.12 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPD053N08N3GATMA1
Objednací kód1775574
Produktová ŘadaOptiMOS 3 Series
Alternativní označeníIPD053N08N3 G, SP001127818
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds80V
Trvalý Proud Drainu Id90A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0053ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.5V
Rozptýlený Výkon150W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaOptiMOS 3 Series
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
90A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
150W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
80V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0053ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3.5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (1)
Alternativy pro IPD053N08N3GATMA1
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00042
Sledovatelnost produktů