Vytisknout stránku
IPD50P04P413AUMA2
Výkonový MOSFET, P Kanál, 40 V, 50 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPD50P04P413AUMA2
Objednací kód3290143
Produktová ŘadaOptiMOS-P2
Technický list
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPD50P04P413AUMA2
Objednací kód3290143
Produktová ŘadaOptiMOS-P2
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds40V
Trvalý Proud Drainu Id50A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0092ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Rozptýlený Výkon58W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaOptiMOS-P2
KvalifikaceAEC-Q101
Alternativy pro IPD50P04P413AUMA2
Nalezen 1 produkt
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
50A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
58W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
AEC-Q101
Napětí Drain Source Vds
40V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0092ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
OptiMOS-P2
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0003
Sledovatelnost produktů