Vytisknout stránku
IR2108SPBF
MOSFET Driver Dual, Half Bridge, 10V-20V supply, 350mA peak out, SOIC-8
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIR2108SPBF
Objednací kód2580752
Alternativní označeníSP001533162
Technický list
873 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Do vyprodání zásob
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 61.195 Kč |
| 10+ | 45.646 Kč |
| 50+ | 37.369 Kč |
| 100+ | 34.861 Kč |
| 250+ | 34.109 Kč |
| 500+ | 32.855 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
61.20 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIR2108SPBF
Objednací kód2580752
Alternativní označeníSP001533162
Technický list
Počet Kanálů2Zesilovačů
Typ Budiče Hradla-
Konfigurace BudičePoloviční Můstek
Typ Výkonového SpínačeIGBT, MOSFET
Počet Pinů8Pinů
Pouzdro IONSOIC
Montáž IOPovrchová Montáž
Typ VstupuNeinvertující
Proud Zdroje200mA
Proud Spotřebiče350mA
Napájecí Napětí Min10V
Napájecí Napětí Max20V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max125°C
Vstupní Prodleva220ns
Výstupní Prodleva200ns
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Přehled produktu
Vysokonapěťový, vysokorychlostní výkonový MOSFET a IGBT budič se závislými výstupními kanály s referencí , high a lowside.
- Plovoucí kanál navržený pro bootstrap provoz, plně pracující do +600 V
- Tolerance k negativnímu mžikovému napětí, dV/dt imunní
- Rozsah napájení buzení hradla od 10 do 20 V
- Blokování při podpětí pro oba kanály
- 3,3 V, 5 V a 15 V kompatibilní logický vstup
- Logika pro zabránění křížovému vedení
- Shodná doba propagace pro oba kanály
- High side výstup ve fázi se vstupem HIN
- Uzemnění logiky a napájení +/- 5 V ofset
- Nižší di/dt budič hradla pro lepší imunitu proti šumu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Počet Kanálů
2Zesilovačů
Konfigurace Budiče
Poloviční Můstek
Počet Pinů
8Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Proud Zdroje
200mA
Napájecí Napětí Min
10V
Provozní Teplota Min
-40°C
Vstupní Prodleva
220ns
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Typ Budiče Hradla
-
Typ Výkonového Spínače
IGBT, MOSFET
Pouzdro IO
NSOIC
Typ Vstupu
Neinvertující
Proud Spotřebiče
350mA
Napájecí Napětí Max
20V
Provozní Teplota Max
125°C
Výstupní Prodleva
200ns
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technické dokumenty (4)
Související produkty
Nalezené produkty: 5
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001769