IR2113PBF
Dvojitý Výkonový IO, High Side a Low Side, 10V-20V Napájení, 2.5A Výstup, 94ns Zpoždění, DIP-14
1 500 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 71.729 Kč |
| 10+ | 58.186 Kč |
| 25+ | 56.179 Kč |
| 50+ | 53.922 Kč |
| 100+ | 51.665 Kč |
| 250+ | 50.411 Kč |
| 500+ | 50.160 Kč |
| 1000+ | 49.157 Kč |
Informace o produktu
Přehled produktu
IR2113PBF je vysokonapěťový vysokorychlostní výkonový MOSFET a IGBT Budič s nezávislými výstupními kanály s referencí high a low-side. Proprietární HVIC a CMOS technologie imunní proti zablokování umožňují odolnou monolitickou konstrukci. Logické vstupy jsou kompatibilní se standardním CMOS či LSTTL výstupem a logikou již od 3.3V. Budič výstupu obsahuje stupeň vysokého pulzního bufferu pro minimální přenos vodivosti přes budič. Zpoždění propagace jsou souměrné pro zjednodušení použití ve vysokofrekvenčních systémech. Plovoucí kanál může být použit pro buzení N-kanálového výkonového MOSFET či IGBT v high-side konfiguraci, která pracuje až do 500 či 600V.
- Tolerantní k negativnímu přechodovému napětí, DV/DT Imunní
- Blokování při podpětí pro oba kanály
- CMOS vstupy Schmittova KO s pull-down
- Hranou spouštěná vypínací logika cyklus za cyklem
- Shodná doba propagace pro oba kanály
- Výstupy ve fázi se vstupy
Technické specifikace
2Zesilovačů
High Side a Low Side
14Pinů
Skrz Desku
2A
10V
-40°C
120ns
-
-
-
IGBT, MOSFET
DIP
Neinvertující
2A
20V
125°C
94ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě