Vytisknout stránku
IRF7316TRPBF
Duální MOSFET, P Kanál, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7316TRPBF
Objednací kód2468010RL
Alternativní označeníSP001565294
Technický list
13 571 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 50+ | 20.917 Kč |
| 250+ | 14.622 Kč |
| 1000+ | 10.584 Kč |
| 2000+ | 10.534 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
2 211.70 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRF7316TRPBF
Objednací kód2468010RL
Alternativní označeníSP001565294
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál4.9A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.042ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.042ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
IRF7316TRPBF je dvojí P-kanálový MOSFET, využívající vyspělé techniky zpracování pro dosažení nejnižšího možného odporu v zapnutém stavu na plochu křemíku. Tato výhoda, kombinovaná s vysokou spínací rychlostí a zpevněným zařízením. HEXFET Výkonový MOSFET je extrémně účinné zařízení pro použití v široké řadě aplikací. SO-8 bylo modifikováno skrz upravený rám s vývody pro vylepšené tepelné charakteristiky a schopností dvojího substrátu jej činí ideální pro mnoho výkonových aplikací. S těmito zlepšeními lze použít více zařízení v aplikacích, s dramaticky redukovaným prostorem na desce.
- Technologie Generace V
- Ultra nízký odpor v zapnutém stavu
- Zařízení pro povrchovou montáž
- Plná lavinová třída
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.042ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
4.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.042ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (4)
Alternativy pro IRF7316TRPBF
Nalezen 1 produkt
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000171
Sledovatelnost produktů