Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRSM807-105MH
Objednací kód2781306
Produktová ŘadaCIPOS Nano
Alternativní označeníSP001543516
Technický list
1 270 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Do vyprodání zásob
Množství | |
---|---|
1+ | 78.500 Kč |
10+ | 71.478 Kč |
25+ | 68.719 Kč |
50+ | 65.710 Kč |
100+ | 64.456 Kč |
500+ | 63.202 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
78.50 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRSM807-105MH
Objednací kód2781306
Produktová ŘadaCIPOS Nano
Alternativní označeníSP001543516
Technický list
Napájecí Zařízení IPMMOSFET
Jmenovité Napětí (Vces / Vdss)500V
Proudová Zatížitelnost (Ic / Id)10A
Izolační Napětí1.5kV
Druh Pouzdra IPMQFN-EP
IPM SérieCIPOS Nano
Produktová ŘadaCIPOS Nano
Přehled produktu
IRSM807-105MH is a half-bridge module designed for advanced appliances motor drive applications such as energy-efficient fans and pumps. IR's technology offers an extremely compact, high-performance half-bridge topology in an isolated package. This advanced IPM offers a combination of IR's low RDS(on) Trench FREDFET technology and the industry benchmark half-bridge high voltage, rugged driver in a small PQFN package. At only 8x9mm and featuring integrated bootstrap functionality, the compact footprint of this surface-mount package makes it suitable for applications that are space-constrained. IRSM807-105MH functions without a heat sink.
- Integrated gate drivers and bootstrap functionality
- Suitable for sinusoidal modulation applications
- Low RDS(on) Trench FREDFET
- Under-voltage lockout for both channels
- Matched propagation delay for all channels
- Optimized dV/dt for loss and EMI trade offs
- 3.3V input logic compatible
- Active high HIN and LIN, motor power range from 80 to 200W
- Isolation 1500VRMS minimum
- PQFN package, maximum operating junction temperature is 150°C
Technické specifikace
Napájecí Zařízení IPM
MOSFET
Proudová Zatížitelnost (Ic / Id)
10A
Druh Pouzdra IPM
QFN-EP
Produktová Řada
CIPOS Nano
Jmenovité Napětí (Vces / Vdss)
500V
Izolační Napětí
1.5kV
IPM Série
CIPOS Nano
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000256
Sledovatelnost produktů