Vytisknout stránku
IRSM836-025MA
Inteligentní Napájecí Modul (IPM), IPM, MOSFET, 500 V, 2 A, 1.5 kV, PQFN, µIPM
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRSM836-025MA
Objednací kód2313950
Produktová ŘadaCIPOS Nano
Alternativní označeníIRSM836-025MA, SP001546868
Technický list
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 29
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 800+ | 96.307 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 800
Více: 800
77 045.60 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRSM836-025MA
Objednací kód2313950
Produktová ŘadaCIPOS Nano
Alternativní označeníIRSM836-025MA, SP001546868
Technický list
Napájecí Zařízení IPMMOSFET
Jmenovité Napětí (Vces / Vdss)500V
Proudová Zatížitelnost (Ic / Id)2A
Izolační Napětí1.5kV
Druh Pouzdra IPMPQFN
IPM SérieµIPM
Produktová ŘadaCIPOS Nano
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
This advanced 2A, 500V Integrated Power Module offers a combination of IR's low Drain to Source ON Resistance Trench MOSFET technology and the industry benchmark 3-phase high voltage, rugged driver in a small PQFN package. At only 12x12mm and featuring integrated bootstrap functionality, the compact footprint of this surface mount package makes it suitable for applications that are space-constrained. Integrated over-current protection, fault reporting and under-voltage lockout functions deliver a high level of protection and fail-safe operation.
- Integrated gate drivers and bootstrap functionality
- Open-source for leg-shunt current sensing
- Protection shutdown pin
- Under-voltage lockout for all channels
- Matched propagation delay for all channels
- Optimized dV/dt for loss and EMI trade offs
- Cross-conduction prevention logic
- Functions without a heat sink.
Technické specifikace
Napájecí Zařízení IPM
MOSFET
Proudová Zatížitelnost (Ic / Id)
2A
Druh Pouzdra IPM
PQFN
Produktová Řada
CIPOS Nano
Jmenovité Napětí (Vces / Vdss)
500V
Izolační Napětí
1.5kV
IPM Série
µIPM
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000074
Sledovatelnost produktů