Vytisknout stránku
IXDN75N120
IGBT Modul, Jeden, 150 A, 2.2 V, 660 W, 150 °C, SOT-227B
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXDN75N120
Objednací kód3438369
Technický list
Polarita TranzistoruNPN
IGBT KonfiguraceJeden
DC Kolektorový Proud150A
Trvalý Proud Kolektoru150A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2.2V
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)2.2V
Výkonové Ztráty Pd660W
Rozptýlený Výkon660W
Teplota Přechodu Tj @ Max150°C
Provozní Teplota Max150°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-227B
IGBT ZakončeníZávit
Počet Pinů4Pinů
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
IGBT TechnologieNPT IGBT [Standardní]
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
NPN
DC Kolektorový Proud
150A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2.2V
Výkonové Ztráty Pd
660W
Teplota Přechodu Tj @ Max
150°C
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
IGBT Zakončení
Závit
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Montáž Tranzistoru
Panel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
IGBT Konfigurace
Jeden
Trvalý Proud Kolektoru
150A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
2.2V
Rozptýlený Výkon
660W
Provozní Teplota Max
150°C
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-227B
Počet Pinů
4Pinů
IGBT Technologie
NPT IGBT [Standardní]
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.004