Vytisknout stránku
IXFN102N30P
MOSFET Tranzistor, N Kanál, 86 A, 300 V, 0,033 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN102N30P
Objednací kód2674759
Produktová ŘadaPolarHV HiPerFET
Technický list
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN102N30P
Objednací kód2674759
Produktová ŘadaPolarHV HiPerFET
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Polarita TranzistoruN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id86A
Napětí Drain Source Vds300V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.033ohm
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.033ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon570W
Výkonové Ztráty Pd570W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaPolarHV HiPerFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
86A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.033ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
570W
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
300V
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.033ohm
Prahové Napětí Vgs
5V
Výkonové Ztráty Pd
570W
Produktová Řada
PolarHV HiPerFET
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.03
Sledovatelnost produktů