Vytisknout stránku
IXFN200N10P
MOSFET Tranzistor, PolarFET, N Kanál, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN200N10P
Objednací kód1427322
Produktová ŘadaPolar(TM) HiPerFET
Technický list
88 Skladem
300 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 679.668 Kč |
| 5+ | 588.628 Kč |
| 10+ | 497.587 Kč |
| 50+ | 480.533 Kč |
| 100+ | 463.228 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
679.67 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN200N10P
Objednací kód1427322
Produktová ŘadaPolar(TM) HiPerFET
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id200A
Napětí Drain Source Vds100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0075ohm
Druh Pouzdra TranzistoruISOTOP
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Montáž TranzistoruModul
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon680W
Provozní Teplota Max175°C
Počet Pinů4Pinů
Produktová ŘadaPolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Přehled produktu
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
100V
Druh Pouzdra Tranzistoru
ISOTOP
Montáž Tranzistoru
Modul
Rozptýlený Výkon
680W
Počet Pinů
4Pinů
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Trvalý Proud Drainu Id
200A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0075ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Prahové Napětí Vgs
5V
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
Polar(TM) HiPerFET
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.03
Sledovatelnost produktů