Vytisknout stránku
IXFN80N50
MOSFET Tranzistor, HiPerFET, N Kanál, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN80N50
Objednací kód7348029
Produktová ŘadaHiPerFET Series
Technický list
94 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Do vyprodání zásob
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 402.724 Kč |
| 5+ | 1 332.500 Kč |
| 10+ | 1 018.750 Kč |
| 50+ | 991.412 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
1 402.72 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXFN80N50
Objednací kód7348029
Produktová ŘadaHiPerFET Series
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Polarita TranzistoruN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id80A
Napětí Drain Source Vds500V
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.055ohm
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.055ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Montáž TranzistoruModul
Prahové Napětí Vgs4.5V
Rozptýlený Výkon780W
Výkonové Ztráty Pd780W
Druh Pouzdra TranzistoruISOTOP
Provozní Teplota Max150°C
Počet Pinů4Pinů
Kvalifikace-
Produktová ŘadaHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Přehled produktu
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
80A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.055ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Prahové Napětí Vgs
4.5V
Výkonové Ztráty Pd
780W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Polarita Tranzistoru
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.055ohm
Montáž Tranzistoru
Modul
Rozptýlený Výkon
780W
Druh Pouzdra Tranzistoru
ISOTOP
Počet Pinů
4Pinů
Produktová Řada
HiPerFET Series
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.234507