Vytisknout stránku
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Kanál, 210 A, 100 V, 0,0075 ohm, 10 V, 4,5 V, SOT-227B
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXTN210P10T
Objednací kód3438414
Produktová ŘadaTrenchP
Technický list
158 Skladem
380 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 150.921 Kč |
| 5+ | 1 059.881 Kč |
| 10+ | 968.840 Kč |
| 50+ | 877.800 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
1 150.92 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceIXYS SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceIXTN210P10T
Objednací kód3438414
Produktová ŘadaTrenchP
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Polarita TranzistoruP Kanál
Trvalý Proud Drainu Id210A
Napětí Drain Source Vds100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0075ohm
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4.5V
Rozptýlený Výkon830W
Výkonové Ztráty Pd830W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Přehled produktu
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
210A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0075ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
830W
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarita Tranzistoru
P Kanál
Napětí Drain Source Vds
100V
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.0075ohm
Prahové Napětí Vgs
4.5V
Výkonové Ztráty Pd
830W
Produktová Řada
TrenchP
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.004
Sledovatelnost produktů