Vytisknout stránku
IXYN100N65C3H1
IGBT Modul, Jeden, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
290 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 708.008 Kč |
| 5+ | 613.708 Kč |
| 10+ | 519.407 Kč |
| 50+ | 486.301 Kč |
| 100+ | 452.945 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
708.01 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceLITTELFUSE
Č. dílu výrobceIXYN100N65C3H1
Objednací kód3930297
Technický list
IGBT KonfiguraceJeden
Trvalý Proud Kolektoru160A
DC Kolektorový Proud160A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)1.8V
Saturační Napětí Kolektor-Emitor1.8V
Rozptýlený Výkon600W
Výkonové Ztráty Pd600W
Teplota Přechodu Tj @ Max175°C
Provozní Teplota Max175°C
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-227B
IGBT ZakončeníZávit
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo650V
Napětí Konektor-Emitor Max650V
IGBT Technologie-
Montáž TranzistoruPanel
Produktová Řada-
SVHCTo Be Advised
Přehled produktu
Extreme light punch through IGBT for 20-60KHz switching suitable for use in power inverters, UPS, motor drives, SMPS, PFC circuits, battery chargers, welding machines, lamp ballasts, high frequency power inverters applications.
- XPT™ 650V GenX3™ w/ sonic diode
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- 2500V isolation voltage
- Anti-parallel sonic diode
- Square RBSOA
- Short circuit capability
- High current handling capability
- High power density
- Low gate drive requirement
Technické specifikace
IGBT Konfigurace
Jeden
DC Kolektorový Proud
160A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
1.8V
Výkonové Ztráty Pd
600W
Provozní Teplota Max
175°C
IGBT Zakončení
Závit
Napětí Konektor-Emitor Max
650V
Montáž Tranzistoru
Panel
SVHC
To Be Advised
Trvalý Proud Kolektoru
160A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
1.8V
Rozptýlený Výkon
600W
Teplota Přechodu Tj @ Max
175°C
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-227B
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
650V
IGBT Technologie
-
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:To Be Advised
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů