Vytisknout stránku
TN0702N3-G
Výkonový MOSFET, N Kanál, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
890 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 36.366 Kč |
| 25+ | 30.347 Kč |
| 100+ | 27.337 Kč |
| 1000+ | 26.836 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
36.37 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICROCHIP
Č. dílu výrobceTN0702N3-G
Objednací kód2920846
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds20V
Trvalý Proud Drainu Id530mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí1.3ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-92
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs5V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon1W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Přehled produktu
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable for Logic level interfaces (TTL and CMOS), Solid state relays, Battery operated systems, Photo voltaic drives, Analog switches etc.
- Low threshold - 1.6V max.
- High input impedance
- Low input capacitance - 130pF typical
- Fast switching speeds
- Low on-resistance guaranteed at VGS = 2, 3, and 5V
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
530mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-92
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
5V
Rozptýlený Výkon
1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napětí Drain Source Vds
20V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1.3ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001361
Sledovatelnost produktů