Vytisknout stránku
TN2510N8-G
Výkonový MOSFET, N Kanál, 100 V, 730 mA, 1 ohm, SOT-89, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
4 855 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 32.855 Kč |
| 25+ | 27.337 Kč |
| 100+ | 24.779 Kč |
| 2000+ | 24.277 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
32.86 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICROCHIP
Č. dílu výrobceTN2510N8-G
Objednací kód2775066
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id730mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-89
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2V
Rozptýlený Výkon1.6W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Přehled produktu
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Low threshold (2.0V max.)
- High input impedance
- Low input capacitance (125pF max.)
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
730mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-89
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
1.6W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
2V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000106
Sledovatelnost produktů