Vytisknout stránku
TP2104N3-G
Výkonový MOSFET, P Kanál, 40 V, 175 mA, 6 ohm, TO-92, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 402 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 18.710 Kč |
| 25+ | 15.349 Kč |
| 100+ | 14.145 Kč |
| 1000+ | 13.869 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
18.71 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICROCHIP
Č. dílu výrobceTP2104N3-G
Objednací kód2775067
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds40V
Trvalý Proud Drainu Id175mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí6ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-92
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2V
Rozptýlený Výkon740mW
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
- Suitable for logic level interfaces (ideal for TTL and CMOS), solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc..
- High input impedance and high gain
- Low power drive requirement
- Ease of paralleling
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- Free from secondary breakdown
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
175mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-92
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
740mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
40V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
6ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
2V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0002
Sledovatelnost produktů