Vytisknout stránku
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
838 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 005.206 Kč |
| 5+ | 967.085 Kč |
| 10+ | 928.712 Kč |
| 25+ | 898.867 Kč |
| 50+ | 854.225 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
1 005.21 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICRON
Č. dílu výrobceMT53E1G32D2FW-046 AAT:B
Objednací kód3880972
Technický list
Typ DRAMMobile LPDDR4
Hustota Paměti32Gbit
Konfigurace Paměti1G x 32bit
Hodinová Frekvence Max2.133GHz
Pouzdro IOTFBGA
Počet Pinů200Pinů
Napájecí Napětí Nom1.1V
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max105°C
Produktová Řada-
MSLMSL 3 - 168 hodin
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Přehled produktu
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B is a x32 automotive mobile LPDDR4 SDRAM high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- 1G x 32bit memory configuration, 4266Mb/s data rate/pin, 468ps tCK RL= 36/40 cycle time
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ/1.80V VDD1 operating voltage
- AEC-Q100 automotive grade
- Frequency range from 2133 to 10MHz, 2133MHz clock rate, 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation, single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane, programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, Selectable output drive strength (DS)
- Partial-array self refresh (PASR), programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK, DQS support
- Operating temperature range from -40 to +105°C, 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD) package
Technické specifikace
Typ DRAM
Mobile LPDDR4
Konfigurace Paměti
1G x 32bit
Pouzdro IO
TFBGA
Napájecí Napětí Nom
1.1V
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Hustota Paměti
32Gbit
Hodinová Frekvence Max
2.133GHz
Počet Pinů
200Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001