Vytisknout stránku
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32bit, 2,133 GHz, TFBGA, 200 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 520 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 388.489 Kč |
| 10+ | 360.149 Kč |
| 25+ | 348.863 Kč |
| 50+ | 340.336 Kč |
| 100+ | 330.304 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
388.49 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceMICRON
Č. dílu výrobceMT53E512M32D1ZW-046 IT:B
Objednací kód3954471
Technický list
Typ DRAMMobile LPDDR4
Hustota Paměti16Gbit
Konfigurace Paměti512M x 32bit
Hodinová Frekvence Max2.133GHz
Pouzdro IOTFBGA
Počet Pinů200Pinů
Napájecí Napětí Nom1.1V
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max95°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Přehled produktu
MT53E512M32D1 is a 16Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4X) high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable VSS (ODT) termination
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS), clock-stop capability, single-ended CK and DQS support
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 512 Meg x 32 configuration, LPDDR4, 1 die addressing
- 200-ball TFBGA (Ø0.40 SMD) package, 468ps cycle time
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Technické specifikace
Typ DRAM
Mobile LPDDR4
Konfigurace Paměti
512M x 32bit
Pouzdro IO
TFBGA
Napájecí Napětí Nom
1.1V
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
Hustota Paměti
16Gbit
Hodinová Frekvence Max
2.133GHz
Počet Pinů
200Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001