Vytisknout stránku
GAN111-650WSBQ
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Skrz Desku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
251 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 223.212 Kč |
| 50+ | 189.605 Kč |
| 100+ | 181.328 Kč |
| 250+ | 172.801 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
2 352.12 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNEXPERIA
Č. dílu výrobceGAN111-650WSBQ
Objednací kód4550980RL
Technický list
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id21A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.114ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)4.9nC
Počet Pinů3Pinů
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.114ohm
Počet Pinů
3Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
21A
Náboj Hradla Typ (Qg)
4.9nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001
Sledovatelnost produktů