Vytisknout stránku
GANE3R9-150QBAZ
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 150 V, 100 A, 0.0039 ohm, 20 nC, VQFN, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Možnosti balení
2 322 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 157.753 Kč |
| 50+ | 142.956 Kč |
| 100+ | 131.419 Kč |
| 250+ | 123.644 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
1 577.53 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNEXPERIA
Č. dílu výrobceGANE3R9-150QBAZ
Objednací kód4414367RL
Technický list
Napětí Drain Source Vds150V
Trvalý Proud Drainu Id100A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0039ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)20nC
Počet Pinů25Pinů
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
150V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0039ohm
Počet Pinů
25Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
100A
Náboj Hradla Typ (Qg)
20nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů