Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 397 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 25.005 Kč |
10+ | 17.004 Kč |
100+ | 11.085 Kč |
500+ | 10.258 Kč |
1000+ | 9.932 Kč |
5000+ | 7.674 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
25.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNEXPERIA
Č. dílu výrobcePSMN040-100MSEX
Objednací kód2319892
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id30A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0294ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-1210
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3.3V
Rozptýlený Výkon91W
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
PSMN040-100MSEX is a N-channel 100V 36.6mohm standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high-power PoE applications. It is a new standard and proprietary approaches are enabling Power-over-Ethernet (PoE) systems capable of delivering up to 90W to each powered device (PD). Such solutions place increased demands on the power sourcing equipment (PSE) in terms of “soft-start”, thermal management, and power density requirements. The applications include high-power PoE applications (60W and higher), IEEE 802.3at, and proprietary solutions.
- Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation
- Low Rdson for low conduction losses
- Ultra reliable LFPAK33 package for superior thermal and ruggedness performance
- Drain-source voltage is 100V max (Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C)
- Drain current is 30A max (VGS = 10V; Tj ID drain current = 25°C)
- Total power dissipation is 91W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 66mohm max (VGS = 10V; ID = 10A; Tj = 100°C
- Gate-drain charge is 10.7nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 30nC typ (ID = 10A; VDS = 50V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- 4 leads SOT1210 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
30A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-1210
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
91W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0294ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3.3V
Počet Pinů
4Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000071
Sledovatelnost produktů