Vytisknout stránku
IL712-3E
Digitální Izolátor, 2 Zesilovačů, 3 V, 5.5 V, SOIC, 8 Pinů, 110 Mbps
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
50 Skladem
100 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 160.763 Kč |
| 10+ | 123.895 Kč |
| 25+ | 121.889 Kč |
| 50+ | 120.133 Kč |
| 100+ | 118.127 Kč |
| 250+ | 116.120 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
160.76 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNVE
Č. dílu výrobceIL712-3E
Objednací kód9570608
Technický list
Počet Kanálů2Zesilovačů
Napájecí Napětí Min3V
Napájecí Napětí Max5.5V
Pouzdro IOSOIC
Počet Pinů8Pinů
Rychlost Dat110Mbps
Vstupní ÚroveňCMOS
Výstupní ÚroveňCMOS
Typ IO IzolaceDigital Isolator
Izolační Napětí2500V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max100°C
Kvalifikace-
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Přehled produktu
IL712-3E je 110Mbaud jednosměrné CMOS zařízení vysokorychlostního digitálního izolátoru s 1 vysílacím kanálem, vyrobené s NVE patentovanou IsoLoop® spintronic obří magneto-resistivní (GMR) technologií. Unikátní kompozitní bariéra keramika/polymer nabízí vynikající izolaci a téměř neomezenou životnost bariéry. Symetrická magnetická spojovací bariéra nabízí typické zpoždění propagace pouze 10 ns a zkreslení šířky pulzu již 300ps, dosahuje nejlepších specifikací z jakéhokoliv izolátoru. Typická imunita proti mžikovým jevům 50 kV/µs je nepřekonatelná.
- Vynikající magnetická imunita
- 150Mbps Typická vysoká rychlost
- Rozsah vysoké teploty -40 až 125 °C
Technické specifikace
Počet Kanálů
2Zesilovačů
Napájecí Napětí Max
5.5V
Počet Pinů
8Pinů
Vstupní Úroveň
CMOS
Typ IO Izolace
Digital Isolator
Provozní Teplota Min
-40°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Napájecí Napětí Min
3V
Pouzdro IO
SOIC
Rychlost Dat
110Mbps
Výstupní Úroveň
CMOS
Izolační Napětí
2500V
Provozní Teplota Max
100°C
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000159