Vytisknout stránku
AFT20S015GNR1
RF FET Tranzistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
201 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 621.984 Kč |
| 5+ | 610.698 Kč |
| 10+ | 599.161 Kč |
| 50+ | 551.008 Kč |
| 100+ | 539.972 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
621.98 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceAFT20S015GNR1
Objednací kód2890592
Produktová ŘadaAFT20S015GN
Technický list
Napětí Drain Source Vds65V
Trvalý Proud Drainu Id-
Rozptýlený Výkon11W
Provozní Frekvence Min1.805GHz
Provozní Frekvence Max2.7GHz
Druh Pouzdra TranzistoruTO-270G
Počet Pinů2Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová ŘadaAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 hodin
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
65V
Rozptýlený Výkon
11W
Provozní Frekvence Max
2.7GHz
Počet Pinů
2Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Trvalý Proud Drainu Id
-
Provozní Frekvence Min
1.805GHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-270G
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0003
Sledovatelnost produktů