Vytisknout stránku
MRF1K50HR5
RF FET Tranzistor, 135 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 500 MHz, NI-1230
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
91 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 5 867.968 Kč |
| 5+ | 5 750.593 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
5 867.97 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceMRF1K50HR5
Objednací kód2776261
Technický list
Napětí Drain Source Vds135VDC
Trvalý Proud Drainu Id-
Rozptýlený Výkon1.667kW
Provozní Frekvence Min1.8MHz
Provozní Frekvence Max500MHz
Druh Pouzdra TranzistoruNI-1230
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max225°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPřírubová
Produktová Řada-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
MRF1K50HR5 is a RF power LDMOS transistor in a 4 pin NI-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub--GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 500MHz.
- High drain--source avalanche energy absorption capability
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Characterized from 30 to 50V for ease of use
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved class C operation
- Recommended driver: MRFE6VS25N (25W)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
135VDC
Rozptýlený Výkon
1.667kW
Provozní Frekvence Max
500MHz
Počet Pinů
4Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Trvalý Proud Drainu Id
-
Provozní Frekvence Min
1.8MHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
NI-1230
Provozní Teplota Max
225°C
Montáž Tranzistoru
Přírubová
MSL
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.011793
Sledovatelnost produktů