Vytisknout stránku
MRFE6VS25NR1
RF FET Tranzistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceMRFE6VS25NR1
Objednací kód2776252
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Technický list
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceMRFE6VS25NR1
Objednací kód2776252
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Technický list
Napětí Drain Source Vds133VDC
Trvalý Proud Drainu Id-A
Rozptýlený Výkon-mW
Provozní Frekvence Min1.8MHz
Provozní Frekvence Max2000MHz
Počet Pinů2Pinů
Provozní Teplota Max225°C
Produktová ŘadaCompute Module 3+ Series
Přehled produktu
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
133VDC
Rozptýlený Výkon
-mW
Provozní Frekvence Max
2000MHz
Provozní Teplota Max
225°C
Trvalý Proud Drainu Id
-A
Provozní Frekvence Min
1.8MHz
Počet Pinů
2Pinů
Produktová Řada
Compute Module 3+ Series
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0003