Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
38 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 4 766.203 Kč |
5+ | 4 533.210 Kč |
10+ | 4 300.217 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
4 766.20 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobceMRFX1K80NR5
Objednací kód2985306
Technický list
Napětí Drain Source Vds179V
Trvalý Proud Drainu Id-
Rozptýlený Výkon3.333kW
Provozní Frekvence Min1.8MHz
Provozní Frekvence Max400MHz
Druh Pouzdra TranzistoruOM-1230
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max225°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPřírubová
Produktová Řada-
MSLMSL 3 - 168 hodin
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
MRFX1K80NR5 is a wideband RF Power LDMOS transistor in a 4 pin OM-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to 400MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 65VDD operation
- Characterized from 30 to 65V for extended power range
- Lower thermal resistance package
- High breakdown voltage for enhanced reliability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved Class C operation
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
179V
Rozptýlený Výkon
3.333kW
Provozní Frekvence Max
400MHz
Počet Pinů
4Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Trvalý Proud Drainu Id
-
Provozní Frekvence Min
1.8MHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
OM-1230
Provozní Teplota Max
225°C
Montáž Tranzistoru
Přírubová
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.009072