Vytisknout stránku
PMBFJ111,215
RF FET Tranzistor, 40 V, 20 mA, 300 mW, SOT-23
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceNXP
Č. dílu výrobcePMBFJ111,215
Objednací kód2319256
Technický list
Napětí Drain Source Vds40V
Trvalý Proud Drainu Id20mA
Rozptýlený Výkon300mW
Provozní Frekvence Min-
Provozní Frekvence Max-
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Alternativy pro PMBFJ111,215
Nalezené produkty: 6
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
40V
Rozptýlený Výkon
300mW
Provozní Frekvence Max
-
Počet Pinů
3Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
20mA
Provozní Frekvence Min
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002