Vytisknout stránku
FDC6303N
Duální MOSFET, N Kanál, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 15
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 3000+ | 3.386 Kč |
| 9000+ | 3.260 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 3000
Více: 3000
10 158.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDC6303N
Objednací kód2985478
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál25V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál680mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.45ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSuperSOT
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál900mW
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
680mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.45ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SuperSOT
Výkonové Ztráty N Kanál
900mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):2.27
Sledovatelnost produktů