FDD4685

FDD4685 je -40 V P-kanálový PowerTrench® MOSFET, navržený speciálně pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu a pro zachování nízkého náboje hradla pro vynikající spínací výkon. Nejnovější power MOSFET se středním napětím má optimalizované výkonové spínače spolu s malým nábojem hradla (QG), malým nábojem obnovení z reverzace (Qrr) a tělem diody s měkkým obnovením z reverzace, který kombinuje rychlé spínání pro synchronní usměrnění v AC/DC napájecích zdrojích. Využívá strukturu se stíněným hradlem, která poskytuje vyvažování náboje. Využitím této vyspělé technologie je FOM (číslo výhodnosti (QGxRDS(ON))) těchto zařízení je o 66% než u předchozí generace. Jemné tělo diody výkonového PowerTrench® MOSFET je také schopno eliminovat tlumící síť nebo nahradit vyšší jmenovité napětí - MOSFET potřebný obvod, jelikož může minimalizovat nežádoucí napěťové špičky v synchronním usměrnění. Tento produkt je pro všeobecné použití a je vhodný pro mnoho různých úloh.

• Vysoce výkonná trench technologie pro extrémně nízké RDS (on)