Vytisknout stránku
FDG6303N
Duální MOSFET, N Kanál, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 54
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 3000+ | 2.533 Kč |
| 9000+ | 2.438 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 3000
Více: 3000
7 599.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDG6303N
Objednací kód2438439
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál25V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál500mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.34ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSC-70
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál300mW
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FDG6303N je dvojí N-kanálový MOSFET v režimu obohacení s logickými úrovněmi, vyráběný DMOS technologií s vysokou hustotou buněk. Tento velmi vysokohustotní proces je obzvláště přizpůsoben pro minimalizaci odporu při zapnutí. Toto zařízení bylo navrženo speciálně pro nízkonapěťové aplikace, jako náhrada za bipolární digitální tranzistory a MOSFETy pro slabý signál.
- Velmi nízké požadavky na úroveň buzení hradla umožňuje přímý provoz v 3 V obvodech (VGS (th) <lt/>1,5 V)
- Gate-Source Zener pro ESD odolnost
- Kompaktní, průmyslově standardní, povrchově montované pouzdro
- -0,5 až 8 V napětí gate-source
- 0,5 A stálý drain/proudový výstup
- 1,5 A pulzní drain/proudový výstup
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
500mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.34ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SC-70
Výkonové Ztráty N Kanál
300mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů