Vytisknout stránku
FDG8850NZ
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 17.556 Kč |
| 50+ | 11.963 Kč |
| 100+ | 8.151 Kč |
| 500+ | 6.245 Kč |
| 1500+ | 5.543 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
87.78 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDG8850NZ
Objednací kód1498956
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál750mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.25ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSC-70
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál360mW
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDG8850NZ is a dual N-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- ±12V Gate to source voltage
- 0.75A Continuous drain current
- 2.2A Pulsed drain current
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
750mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.25ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SC-70
Výkonové Ztráty N Kanál
360mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000069
Sledovatelnost produktů