Vytisknout stránku
FDMA1029PZ
Duální MOSFET, P Kanál, 20 V, 3.1 A
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
624 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 9.179 Kč |
| 500+ | 8.602 Kč |
| 1000+ | 8.026 Kč |
| 5000+ | 7.449 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
1 037.90 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDMA1029PZ
Objednací kód1324790RL
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál-
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.06ohm
Druh Pouzdra TranzistoruµFET
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál-
Výkonové Ztráty P Kanál1.4W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
FDMA1029PZ je dvojí P-kanálový PowerTrench® MOSFET, navržený specificky jako řešení v jednom pouzdře pro spínač nabíjení baterie v celulárních mobilních telefonech a jiných, ultra-přenosných aplikacích. Má dva nezávislé P-kanálové MOSFETy s nízkým odporem při zapnutí pro minimální ztráty vedením. Po připojení k typické konfiguraci se společným zdrojem je možný obousměrný tok proudu. MicroFET tenké pouzdro nabízí vynikající tepelný výkon pro své fyzické rozměry, a je velmi vhodné pro aplikace v lineárním režimu.
- Nízký Profil
- Bezhalogenový
- ±12 V Gate-source napětí
- -3,1 A Stálý proud drainu
- 6 A Pulzní proud drainu
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.06ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.4W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
-
Druh Pouzdra Tranzistoru
µFET
Výkonové Ztráty N Kanál
-
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0005
Sledovatelnost produktů