Vytisknout stránku
FDS6898A.
Duální MOSFET, N Kanál, 20 V, 9.4 A, 0.014 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 794 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 29.344 Kč |
| 50+ | 20.591 Kč |
| 100+ | 16.026 Kč |
| 500+ | 12.966 Kč |
| 1000+ | 11.060 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
146.72 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDS6898A.
Objednací kód1471056
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál9.4A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.014ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FDS6898A je dvojí N-kanálový, PWM optimalizovaný MOSFET s logickými úrovněmi, vyrobený pomocí vyspělého PowerTrench® procesu. Byl navržen obzvláště pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu, avšak zachovává vynikající spínací výkon. Toto zařízení je velmi vhodné pro nízkonapěťové a bateriemi napájené aplikace, kde jsou požadovány nízké přímé výkonové ztráty a rychlé spínání.
- Nízký náboj hradla
- Vysoce výkonná Trench technologie pro extrémně nízké RDS (ON)
- Schopnost zpracovávat vysoký výkon a proud
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
9.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.014ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000217
Sledovatelnost produktů