Potřebujete další?
Množství | |
---|---|
10+ | 134.680 Kč |
50+ | 134.429 Kč |
100+ | 99.066 Kč |
250+ | 97.060 Kč |
Informace o produktu
Přehled produktu
Schottkyho Diody s Karbidem Křemíku (SiC) využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost při porovnání s Křemíkem. Bez reverzního proudu obnovy, teplotně nezávislé spínací charakteristiky a vynikající tepelný výkon určuje Karbid Křemíku jako další generaci výkonového polovodiče. Výhody systému zahrnují nejvyšší účinnost, vysokou provozní frekvenci, zvýšenou výkonovou hustotu, redukované EMI a redukovanou velikost a cenu systému.
- Max Teplota Přechodu 175 °C
- AEC−Q101 kvalifikován
- Lavinová Třída 200 mJ
- Bez Reverzního Obnovení/Bez Propustného Obnovení
- Snadná Paralelizace
- Vysoká Kapacita Rázových Proudů
- Pozitivní Teplotní Koeficient
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
EliteSiC Series
1.2kV
62nC
3 Piny
Povrchová Montáž
Lead (27-Jun-2024)
Samostatná
10A
TO-263 (D2PAK)
175°C
AEC-Q101
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
RoHS
RoHS
Osvědčení o shodě