Vytisknout stránku
FFSH3065A
Schottkyho Dioda z Karbidu Křemíku, EliteSiC, EliteSiC Series, Samostatná, 650 V, 30 A, 100 nC
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSH3065A
Objednací kód2895632
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
644 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 188.852 Kč |
| 5+ | 181.579 Kč |
| 10+ | 174.306 Kč |
| 50+ | 104.333 Kč |
| 100+ | 102.828 Kč |
| 250+ | 101.323 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
188.85 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSH3065A
Objednací kód2895632
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Konfigurace DiodySamostatná
Opakované Špičkové Reverzní Napětí650V
Průměrný Proud v Propustném Směru30A
Celkový Kapacitní Náboj Qc100nC
Druh Pouzdra DiodyTO-247
Počet Pinů2 Piny
Provozní Teplota Max175°C
Upevnění DiodySkrz Desku
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Schottkyho Diody s Karbidem Křemíku (SiC) využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost při porovnání s Křemíkem. Bez reverzního proudu obnovy, teplotně nezávislé spínací charakteristiky a vynikající tepelný výkon určuje Karbid Křemíku jako další generaci výkonového polovodiče. Výhody systému zahrnují nejvyšší účinnost, vysokou provozní frekvenci, zvýšenou výkonovou hustotu, redukované EMI a redukovanou velikost a cenu systému.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Technické specifikace
Produktová Řada
EliteSiC Series
Opakované Špičkové Reverzní Napětí
650V
Celkový Kapacitní Náboj Qc
100nC
Počet Pinů
2 Piny
Upevnění Diody
Skrz Desku
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Konfigurace Diody
Samostatná
Průměrný Proud v Propustném Směru
30A
Druh Pouzdra Diody
TO-247
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů