Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSH3065B-F085
Objednací kód2981087
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
247 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 209.669 Kč |
5+ | 200.389 Kč |
10+ | 191.110 Kč |
50+ | 109.850 Kč |
100+ | 107.342 Kč |
250+ | 104.834 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
209.67 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSH3065B-F085
Objednací kód2981087
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Konfigurace DiodySamostatná
Opakované Špičkové Reverzní Napětí650V
Průměrný Proud v Propustném Směru30A
Celkový Kapacitní Náboj Qc73nC
Druh Pouzdra DiodyTO-247
Počet Pinů2 Piny
Provozní Teplota Max175°C
Upevnění DiodySkrz Desku
KvalifikaceAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Schottkyho Diody s Karbidem Křemíku (SiC) využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost při porovnání s Křemíkem. Bez reverzního proudu obnovy, teplotně nezávislé spínací charakteristiky a vynikající tepelný výkon určuje Karbid Křemíku jako další generaci výkonového polovodiče. Výhody systému zahrnují nejvyšší účinnost, vysokou provozní frekvenci, zvýšenou výkonovou hustotu, redukované EMI a redukovanou velikost a cenu systému.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Produktová Řada
EliteSiC Series
Opakované Špičkové Reverzní Napětí
650V
Celkový Kapacitní Náboj Qc
73nC
Počet Pinů
2 Piny
Upevnění Diody
Skrz Desku
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Konfigurace Diody
Samostatná
Průměrný Proud v Propustném Směru
30A
Druh Pouzdra Diody
TO-247
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
AEC-Q101
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004
Sledovatelnost produktů