Vytisknout stránku
FFSP1265A
Schottkyho Dioda z Karbidu Křemíku, EliteSiC, EliteSiC Series, Samostatná, 650 V, 12 A, 40 nC
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSP1265A
Objednací kód2835588
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
499 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 73.484 Kč |
| 10+ | 70.475 Kč |
| 100+ | 47.903 Kč |
| 500+ | 42.887 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
73.48 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFFSP1265A
Objednací kód2835588
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Konfigurace DiodySamostatná
Opakované Špičkové Reverzní Napětí650V
Průměrný Proud v Propustném Směru12A
Celkový Kapacitní Náboj Qc40nC
Druh Pouzdra DiodyTO-220
Počet Pinů2 Piny
Provozní Teplota Max175°C
Upevnění DiodySkrz Desku
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Schottkyho Diody s Karbidem Křemíku (SiC) využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost při porovnání s Křemíkem. Bez reverzního proudu obnovy, teplotně nezávislé spínací charakteristiky a vynikající tepelný výkon určuje Karbid Křemíku jako další generaci výkonového polovodiče. Výhody systému zahrnují nejvyšší účinnost, vysokou provozní frekvenci, zvýšenou výkonovou hustotu, redukované EMI a redukovanou velikost a cenu systému.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Technické specifikace
Produktová Řada
EliteSiC Series
Opakované Špičkové Reverzní Napětí
650V
Celkový Kapacitní Náboj Qc
40nC
Počet Pinů
2 Piny
Upevnění Diody
Skrz Desku
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Konfigurace Diody
Samostatná
Průměrný Proud v Propustném Směru
12A
Druh Pouzdra Diody
TO-220
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů