Vytisknout stránku
FQB10N50CFTM-WS
Výkonový MOSFET, N Kanál, 500 V, 10 A, 0.61 ohm, TO-263 (D2PAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFQB10N50CFTM-WS
Objednací kód3616209
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id10A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.61ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon143W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
10A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
143W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.61ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.1
Sledovatelnost produktů