Vytisknout stránku
FQD8P10TM
Výkonový MOSFET, P Kanál, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
9 170 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 11.763 Kč |
| 500+ | 9.280 Kč |
| 1000+ | 8.226 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
1 296.30 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFQD8P10TM
Objednací kód2453899RL
Technický list
Polarita TranzistoruP Kanál
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id6.6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.53ohm
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.41ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252AA
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs4V
Výkonové Ztráty Pd44W
Rozptýlený Výkon44W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Specifikace Automobilového Standardu-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FQD8P10TM je QFET® N-kanálový výkonový MOSFET v režimu doplnění, vyráběný technologií planárních pásů a DMOS technologií. Tato vyspělá MOSFET technologie byla speciálně připravena pro redukci odporu v zapnutém stavu, nabízí vynikající spínací výkon a vysokou pevnost proti lavinové energii. Je vhodný pro spínané napájecí zdroje, audio zesilovač a aplikace s proměnným spínaným výkonem.
- 100 % Lavinově testováno
- 12nC typický nízký náboj hradla
- 30pF typické nízké Crss
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
P Kanál
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.53ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252AA
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Výkonové Ztráty Pd
44W
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
Specifikace Automobilového Standardu
-
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
6.6A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.41ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
4V
Rozptýlený Výkon
44W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro FQD8P10TM
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00026
Sledovatelnost produktů