Vytisknout stránku
HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
572 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 130.667 Kč |
| 100+ | 128.159 Kč |
| 500+ | 125.400 Kč |
| 1000+ | 122.641 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
1 426.67 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceHGT1S10N120BNST
Objednací kód2454176RL
Technický list
DC Kolektorový Proud35A
Stálý Proud Kolektoru35A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2.45V
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)2.45V
Výkonové Ztráty Pd298W
Rozptýlený Výkon298W
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo1.2kV
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263AB
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Specifikace Automobilového Standardu-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
DC Kolektorový Proud
35A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2.45V
Výkonové Ztráty Pd
298W
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263AB
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Stálý Proud Kolektoru
35A
Saturační Napětí Kolektor Emitor Vce(on)
2.45V
Rozptýlený Výkon
298W
Napětí Kolektor Emitor V(br)ceo
1.2kV
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Specifikace Automobilového Standardu
-
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001312
Sledovatelnost produktů