Vytisknout stránku
HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
10 218 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 33.607 Kč |
| 50+ | 25.582 Kč |
| 100+ | 20.290 Kč |
| 500+ | 16.327 Kč |
| 1000+ | 15.123 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
168.04 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceHGTD1N120BNS9A
Objednací kód2453921
Technický list
Stálý Proud Kolektoru5.3A
Saturační Napětí Kolektor-Emitor2.5V
Rozptýlený Výkon60W
Napětí Konektor-Emitor Max1.2kV
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252AA
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Stálý Proud Kolektoru
5.3A
Rozptýlený Výkon
60W
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252AA
Provozní Teplota Max
150°C
Produktová Řada
-
Saturační Napětí Kolektor-Emitor
2.5V
Napětí Konektor-Emitor Max
1.2kV
Počet Pinů
3Pinů
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00026
Sledovatelnost produktů