Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
8 115 Skladem
15 000 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
50+ | 8.377 Kč |
250+ | 6.872 Kč |
1000+ | 3.963 Kč |
3000+ | 2.909 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
957.70 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMBRS1100T3G
Objednací kód9555862RL
Technický list
Opakované Špičkové Reverzní Napětí100V
Průměrný Proud v Propustném Směru1A
Konfigurace DiodySamostatná
Druh Pouzdra DiodyDO-214AA
Počet Pinů2Pinů
Max Napětí v Propustném Směru750mV
Přívalovalový Proud v Propustném Směru50A
Provozní Teplota Max175°C
Upevnění DiodyPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
MBRS1100T3G od On Semiconductor je povrchově montovaný, s vývody zahnutými do "J" výkonový usměrňovač v SMB (CASE 403A-03 ) pouzdře. Tato dioda nabízí epitaxiální konstrukci s vysoce spolehlivým oxidem pasivovaným přechodem a kovovým kontaktem, a jsou určeny pro použití v nízkonapěťovém, vysokofrekvenčním usměrněním, freewheeling, ochraně polarity a aplikace, kde je velikost a váha kritická pro systém.
- Lisovaný epoxid
- Kvalifikováno dle automobilové třídy AEC-Q101
- Ochranný prstenec proti zatížení
- Maximální opakovatelné reverzní napětí Vrrm 100 V
- Neopakující se proud v propustném směru IFSM 50 A
- Proud v Propustném Směru IF(AV) 1 A při TL 163 °C a 2 A při TL 148 °C
- Provozní teplotní rozsah přechodu od -65 °C do 175 °C
- Maximální napětí v propustném směru VF 750 mV při IF 1 A
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Opakované Špičkové Reverzní Napětí
100V
Konfigurace Diody
Samostatná
Počet Pinů
2Pinů
Přívalovalový Proud v Propustném Směru
50A
Upevnění Diody
Povrchová Montáž
Kvalifikace
-
Průměrný Proud v Propustném Směru
1A
Druh Pouzdra Diody
DO-214AA
Max Napětí v Propustném Směru
750mV
Provozní Teplota Max
175°C
Produktová Řada
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro MBRS1100T3G
Nalezené produkty: 5
Související produkty
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů