Vytisknout stránku
NTBG020N090SC1
MOSFET s Karbidem Křemíku, EliteSiC, Jeden, N Kanál, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTBG020N090SC1
Objednací kód3367849RL
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
746 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 498.590 Kč |
| 50+ | 482.790 Kč |
| 100+ | 423.852 Kč |
| 250+ | 422.598 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
5 105.90 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTBG020N090SC1
Objednací kód3367849RL
Produktová ŘadaEliteSiC Series
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id112A
Napětí Drain Source Vds900V
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs2.6V
Rozptýlený Výkon477W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NTBG020N090SC1 is an EliteSiC silicon carbide (SiC) MOSFET that uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Applications include DC-DC converter, boost inverter, UPS.
- Low RDSon, ultra low gate charge (Qg tot), low output capacitance (Coss)
- 100% UIL tested
- Drain to source breakdown voltage is 900V min at VGS = 0V, ID = 1mA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 100µA max at VGS = 0V, TJ = 25°C
- Gate threshold voltage is 2.6V typ at VGS = VDS, ID = 20mA, TJ = 25°C
- Drain to source on resistance is 20mohm typ at VGS = 15V, ID = 60A, TJ = 25°C
- Total gate charge is 200nC typ at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, TJ = 25°C
- 52ns rise time/13ns fall time at VGS = -5/15V, VDS = 720V, ID = 60A, RG = 2.5ohm, inductive load
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
112A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.6V
Provozní Teplota Max
175°C
MSL
MSL 1 - Neomezené
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
900V
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
477W
Produktová Řada
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004
Sledovatelnost produktů