Vytisknout stránku
NTHD3100CT1G
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 286 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 34.109 Kč |
| 50+ | 22.146 Kč |
| 100+ | 15.349 Kč |
| 500+ | 12.314 Kč |
| 1500+ | 10.985 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
170.55 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTHD3100CT1G
Objednací kód2845402
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.9A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.064ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.064ohm
Druh Pouzdra TranzistoruChipFET
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.1W
Výkonové Ztráty P Kanál1.1W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
NTHD3100CT1G je N/P-kanálový komplementární MOSFET, ideální pro přenosné produkty napájené bateriemi. Zařízení je navrženo pro obvody DC-DC měniče, aplikace spínače zátěže vyžadující posun úrovně a malé aplikace s bezkartáčovými DC motory.
- Malé rozměry
- O 40 % menší než TSOP-6 pouzdro
- Trench P-kanál pro nízký odpor při zapnutí
- N-kanál s nízkým nábojem hradla pro testovací spínání
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.064ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.1W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.064ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
ChipFET
Výkonové Ztráty N Kanál
1.1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (3)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0001
Sledovatelnost produktů