Vytisknout stránku
NTHD4102PT1G
Duální MOSFET, P Kanál, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
6 073 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 34.109 Kč |
| 50+ | 22.121 Kč |
| 100+ | 15.349 Kč |
| 500+ | 12.314 Kč |
| 1500+ | 10.985 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
170.55 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTHD4102PT1G
Objednací kód2533189
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál2.9A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál2.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.064ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.064ohm
Druh Pouzdra TranzistoruChipFET
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.1W
Výkonové Ztráty P Kanál1.1W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
2.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.064ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.1W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
2.9A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.064ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
ChipFET
Výkonové Ztráty N Kanál
1.1W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000056
Sledovatelnost produktů