Vytisknout stránku
NTUD3169CZT5G
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
19 309 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 7.399 Kč |
| 10+ | 5.417 Kč |
| 100+ | 3.536 Kč |
| 500+ | 3.160 Kč |
| 1000+ | 2.759 Kč |
| 5000+ | 2.383 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
37.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNTUD3169CZT5G
Objednací kód2533207
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál220mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.75ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.75ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-963
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál125mW
Výkonové Ztráty P Kanál125mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The NTUD3169CZT5G is a N/P-channel complementary MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for load switch with level shift applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.75ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
125mW
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.75ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-963
Výkonové Ztráty N Kanál
125mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů