Vytisknout stránku
FDC6320C
Duální MOSFET, Komplementární N a P Kanál, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 3.1 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDC6320C
Objednací kód2453396
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál25V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál220mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál3.1ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál3.1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál900mW
Výkonové Ztráty P Kanál900mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The FDC6320C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
3.1ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
900mW
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
220mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
3.1ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Výkonové Ztráty N Kanál
900mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000036
Sledovatelnost produktů