Vytisknout stránku
FDC6321C
Duální MOSFET, N a P Kanál, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
12 330 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 8.678 Kč |
| 500+ | 6.621 Kč |
| 1500+ | 5.919 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 5
987.80 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDC6321C
Objednací kód9844848RL
Technický list
Typ KanáluN a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál25V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál680mA
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál460mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.45ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál1.1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSuperSOT
Počet Pinů6Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál900mW
Výkonové Ztráty P Kanál900mW
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Technické specifikace
Typ Kanálu
N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
460mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
1.1ohm
Počet Pinů
6Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
900mW
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
25V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
680mA
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.45ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SuperSOT
Výkonové Ztráty N Kanál
900mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000113
Sledovatelnost produktů