Vytisknout stránku
MMBFJ309LT1G
JFET Tranzistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Piny, 150 °C
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
6 000 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 3000+ | 2.347 Kč |
| 9000+ | 2.260 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 1
Více: 1
--
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceMMBFJ309LT1G
Objednací kód2442050
Technický list
Průrazné Napětí Gate-Source Max-25V
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Max30mA
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Idss Min12mA
Vypínací Napětí Gate-Source Max-4V
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Počet Pinů3 Piny
Druh TranzistoruJFET
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
KvalifikaceAEC-Q101
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Technické specifikace
Průrazné Napětí Gate-Source Max
-25V
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Idss Min
12mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Druh Tranzistoru
JFET
Typ Kanálu
N Kanál
Kvalifikace
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Proud Drainu Při Nulovém Nap Hradla Max
30mA
Vypínací Napětí Gate-Source Max
-4V
Počet Pinů
3 Piny
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro MMBFJ309LT1G
Nalezené produkty: 8
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001
Sledovatelnost produktů