Vytisknout stránku
NCV57530DWKR2G
Budič Hradla, 2 Kanály, High Side, Low Side, Half Bridge, IGBT, WSOIC-16
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
1 000 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 58.436 Kč |
| 250+ | 52.919 Kč |
| 500+ | 50.160 Kč |
| 1000+ | 49.408 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
5 963.60 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceNCV57530DWKR2G
Objednací kód4079782RL
Technický list
Počet Kanálů2Zesilovačů
Typ Budiče HradlaIzolované
Konfigurace BudičeHigh Side, Low Side, Half Bridge
Typ Výkonového SpínačeIGBT
Počet Pinů16Pinů
Pouzdro IOWSOIC
Montáž IOPovrchová Montáž
Typ VstupuNeinvertující
Proud Zdroje6.5A
Proud Spotřebiče6.5A
Napájecí Napětí Min3.3V
Napájecí Napětí Max20V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max125°C
Vstupní Prodleva60ns
Výstupní Prodleva60ns
Produktová Řada-
KvalifikaceAEC-Q100
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
NCV57530 is a high−current two channel isolated IGBT gate driver with 5KVrms internal galvanic isolation from input to each output and functional isolation between the two output channels. The device accepts 3.3V to 20V bias voltage and signal levels on the input side and up to 32V bias voltage on the output side. Typical applications are EV chargers, motor control, uninterruptible power supplies (UPS), industrial power supplies, solar inverters, automotive applications.
- Configurable as a dual low−side or dual high−side or half−bridge driver
- Programmable overlap or dead time control
- Enable pin for independent driver control
- Case 752AJ for improved insulation between output channels
- IGBT gate clamping during short circuit, short propagation delays with accurate matching
- Tight UVLO thresholds on all power supplies, 1200V working voltage (per VDE0884−11 requirements)
- High common mode transient immunity
- Automotive (AEC−Q100 qualified and PPAP capable)
- SOIC−16 wide body (less pin 12 and 13) package
Technické specifikace
Počet Kanálů
2Zesilovačů
Konfigurace Budiče
High Side, Low Side, Half Bridge
Počet Pinů
16Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Proud Zdroje
6.5A
Napájecí Napětí Min
3.3V
Provozní Teplota Min
-40°C
Vstupní Prodleva
60ns
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Typ Budiče Hradla
Izolované
Typ Výkonového Spínače
IGBT
Pouzdro IO
WSOIC
Typ Vstupu
Neinvertující
Proud Spotřebiče
6.5A
Napájecí Napětí Max
20V
Provozní Teplota Max
125°C
Výstupní Prodleva
60ns
Kvalifikace
AEC-Q100
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Philippines
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0002
Sledovatelnost produktů